公開特許一覧
 「ナノテクノロジー・材料・計測」

茨城大学の公開特許一覧 「ナノテクノロジー・材料・計測」

2013年12月現在

 

発明の名称

出願/公開or
登録番号

要 約

3

結晶育成装置

特願2003-417316
特許第4572418号

生体高分子の単結晶を効率的に作製することができる装置および方法を提供する

6

金属イオンの検出方法

特願2005-363924
特許第5249500号

媒体中に含まれる原子価が3以上の高原子価金属イオンを効率良く選択的に捕集し、かつ容易にその検出、濃度測定を行うことができる捕集・検出剤を提供する

15

新規な含フッ素重合体、その重合体の製造法および1,6―ジエン型エーテルの製造法

特願2006-142290
特許第4399608号

新規な含フッ素重合体、その重合体の製造法およびその中間体である1,6-ジエン型エーテルの製造法を提供する

20

ナノインプリント用スタンパ、ナノインプリント用スタンパの製造方法、およびナノインプリント用スタンパの表面処理剤

特願2007-012128
特許第4999069号

剥離層をスタンパ表面に簡便に形成することが可能であり、かつ多数回に渡って連続して転写が行われても剥離性の劣化が少ない耐久性に優れたナノインプリント用スタンパを提供する

22

半導体集積回路装置及びその製造方法

特願2007-106945
特許第5370979号

配線を形成するトレンチ幅が70nm以下になっても配線の抵抗率が大幅に増加せず、国際半導体技術ロードマップに開示されている値を満たす銅配線を実現する

23

高原子価金属イオンの捕集剤

特願2007-056103
特開2008-214551

媒体中に含まれる原子価が3以上の高原子価金属イオンを酸性下で効率良く選択的に捕集することができる捕集剤(キレート樹脂)を提供する

28

光ファイバを用いた歪・温度の分布測定方法及び測定装置

特願2007-205893
特許第4441624号

歪や温度変化を光ファイバの軸方向にわたる分布状態として実用的で高精度にかつ長距離測定できる光ファイバを用いた歪・温度の分布測定方法を提供する

29

目視濃度定量法及び反応容器

特願2007-206084
特許第5024540号

測定者や体調に関係なく一定の測定結果が得られる目視濃度定量法並びにそれに用いる反応容器の提供

32

Zn-Al共析系合金接合材、Zn-Al共析系合金接合材の製造方法、Zn-Al共析系合金接合材を用いた接合方法及びZn-Al共析系合金接合材を用いた半導体装置

特願2007-285825
特許第4803834号

鉛フリーで高い融点を持ちかつ固相状態で接合が可能なZn-Al共析系合金接合材、その製造方法、接合方法及びそれを用いた半導体装置を提供する。

36

テラヘルツ電磁波を用いた試料の構造分析方法およびテラヘルツ電磁波を用いた試料の構造分析装置

特願2008-039555
特許第4817336号

試料の集合体構造を精密に測定する、テラヘルツ電磁波を用いた試料の構造分析方法およびその構造を得る。

37

界面活性剤の捕集・回収剤

特願2008-053267
特許第4904476号

媒体中に含まれる界面活性剤、好ましくはフッ素系界面活性剤を効率良く選択的に捕集、回収できる捕集・回収剤を提供する

49

センサ装置

特願2009-037772
特許第5252639号

人などの物体の有無をドップラセンサを用いて判定するセンサ装置の判定精度を向上することが可能な技術を提供する

52

臭素酸イオンの測定方法および装置

PCT/JP2009/055238
再表(WO)2009/116554
中国特許
   ZL200980100486.3
特許第5319658号

従来の臭素酸イオン測定法よりも、簡便かつ迅速に高感度な測定結果を得られる臭素酸イオン測定法を提供する。

67

新規化学発光試薬および新規化学発光法ならびにそれを用いた被検出物質の測定方法およびそれに使用するキット

特願2009‐207976
特開2011-57818

新規な化学発光反応系を提供し、それを用いた試料中に含まれる被検出物質の濃度を高感度に測定できる被検出物質の濃度測定法を提供する

68

化学発光反応の時間計測による被検出物質の濃度を測定する方法およびそれに使用するキット

特願2009‐207977
特開2011-57819

化学発光系を利用した高感度かつ再現性の高い新規な被検出物質の濃度測定法を提供し、またその濃度測定法に使用するためのキットを提供する。

73

半導体集積回路装置及びその製造方法

PCT/JP2009/070637  
再表WO2010/064732
特許第5366270号
韓国特許
第10‐1278235号 

エレクトロマイグレーション耐性の向上と低抵抗化を図る線幅70nm以下の銅配線を実現し、それを使用した半導体集積回路装置を提供する。 本発明は、線幅70nm以下の銅配線を昇温速度1~10K/secで加熱し、加熱直後の温度で所定時間恒温保持するアニール処理をする点に特徴がある。

74

光学式3次元形状計測装置及び光学式3次元形状計測方法

特願2009‐275592
特開2011-117832

鏡面などの光沢表面をもつ物体の光学式3次元形状測定を実現可能とするための光学式3次元形状計測装置及び光学式3次元形状計測方法を提供する

86

含フッ素1.6-ジェン型エーテル化合物及び含フッ素重合物

PCT/JP2010/058327
再表(WO)2010/134509

1,6-ジエン型エーテル化合物を用いて得られた含フッ素重合物は、低屈折率、高ガラス転移点、高透明性、溶剤可溶性を示す高機能ポリマーであり、コーティング材料やバルク材料として多くの用途が見込まれる。例えば、低反射膜や光導波路のクラッド等の光学材料、半導体リソグラフィーにおけるペリクルやレジスト等の半導体材料、さらには、保護膜材料、絶縁膜材料、撥水材料などの先端技術分野の用途に有効である。

95

墨出し装置

特願2010-166492
特開2012-26894

筐体の水平載置が困難でも適正位置に二次元図形を投影可能な墨出し装置を提供する。

96

タンパク質結晶成長装置及びその方法

特願2010-177733
特開2012-36127

中性子回折法に使用できる程度の大型の良質なタンパク質結晶を再現性よく成長(形成)させることが可能なタンパク質結晶成長装置、及びその方法を提案する。

97

透明含フッ素重合物

PCT/JP2010/063807
WO 2011/021598

低屈折率な含フッ素重合物およびその製造方法を提供する。

100

新規な含フッ素化合物、該含フッ素化合物の重合体の製造方法並びに該含フッ素化合物の重合体からなる光学素子、機能性薄膜及びレジスト膜

特願2010-197743
特開2012-51863

原料として入手が容易なオクタフルオロシクロペンテンからの合成が可能であり、且つフッ素含有量が多い新規な含フッ素化合物、並びに該含フッ素化合物をラジカル重合して得られ、透明性が高く、汎用溶媒に溶解できる新規な重合体の製造方法並びに該含フッ素化合物の重合体からなる光学素子、機能性薄膜及びレジスト膜を提供する。

102

水素吸蔵材料構造解析用セルとその製造法

特願2010-225540
特開2012-83108

水素吸蔵材料の中性子回折に使用することができる中性子による散乱が無い、若しくは散乱が少ない耐水素性及び耐圧性の中性子回折測定用セル及びその製造方法を提供する。

105

配管の閉塞物診断方法

特願2010-261988
特開2012-112796

配管内における閉塞物の堆積を精度良く診断することができる配管の閉塞物診断方法を提供する。

107

メチルイミノビスジアルキルアセドアミドの製造方法

特願2011-001809
特開2012-144448

高レベル放射性廃液からのPd、Tc、Pd、Mo、Puを抽出するための
抽出剤として用いることができるメチルイミノ-N,N-ジアルキルアセトアミドを安全かつ効率的に製造することができる方法を提供する。

111

金属層の結晶粒径及び粒径分布評価方法並びにそれを用いた半導体集積回路装置の製造方法

特願2011-22414
特開2012-163392

非破壊かつオンラインで金属層の結晶粒径及び粒径分布を評価する方法を実現する。

112

非接触電圧検出装置

特願2011-22505
特開2012-163394

電線に取り付ける検出プローブの装着が容易に行え、測定電圧の変動が少なく信頼性が高い非接触電圧検出装置を提供する。

113

半導体集積回路装置用バリア材の探索方法及び該探索方法によって探索される半導体集積回路装置用バリア材

特願2011-30514
特開2012-169516

従来のルテニウムバリア材と同様に優れた銅拡散の抑制効果を有し、供給性の点で問題がなく、比較的低コストの金属又はその金属を含む金属間化合物からなる新規な半導体集積回路装置用バリア材の探索方法及び当該探索方法によって探索される半導体集積回路用バリア材を提供する。

114

半導体集積回路装置用ルテニウムバリア膜とその作製方法及び該ルテニウムバリア膜を有する半導体集積回路装置とその製造方法 

特願2011-33019
特開2012-174765

クレバスの面積比が小さく、低抵抗を維持した薄膜の状態で、配線層を構成する銅又はアルミニウム等の拡散を防止できるルテニウムバリア膜とその作製方法及び該ルテニウム膜を有する半導体集積回路装置とその製造方法を提供する。

115

交流電力測定装置

特願2011-39632
特開2012-177571

電圧検出手段により非接触で検出する絶縁電線の電圧値と、変流器で検出する電流値とを用いて、平均電力を希望する検出誤差の範囲に収めて計測できる交流電力測定装置を提供する。

116

球体の球径寸法測定方法及びその測定装置

特願2011-50094
特開2012-185120

コヒーレント光を用いて、被測定球体の球径を高精度で、且つ簡便な方法で短時間に測定できる球体の球径寸法測定方法及びその測定装置を提供する。

119

半導体装置、半導体装置用基板および該基板の製造方法

特願2011-067619
特開2012-204587

電気的接続の信頼性を損なうことなく電気抵抗率を従来よりも低減できる埋め込み配線を有する半導体装置用基板および半導体装置を提供する。

123

質量分析装置

特願2011-151647
特開2013-20748

S/N比と迅速性の向上を図った質量分析装置を提供する。

124

臭素酸イオンの測定方法及び測定装置

特願2011-162170
特開2013-24807

測定に必要な塩酸濃度を低下させつつ臭素酸イオン濃度を精度高く測定すること。

127

ナノギャップ電極及びその製造方法

特願2011-183237
特開2013-45913

導電性膜を作製してから、導電性膜に通電しナノギャップを作製するプロセスを行うことなく、エレクトロマイグレーション時の大幅な印加電流の低減とプロセス時間の短縮することができるナノギャップ電極の製造方法を提供する。

128

マリモカーボンおよびその製造方法

特願2011-186146
特開2013-47160

目的とする触媒の担持状態に応じたグラフェンシートの微細構造を設計することが可能なマリモカーボンの製造技術を提供すること。

129

核磁気共鳴を利用した反応速度解析装置

特願2011-195161
特開2013-57560

温度の変化によって誘起される、温度変化応答性が高い反応の反応速度であってもNMR測定を用いて解析することができる核磁気共鳴を利用した反応速度解析装置を提供する。

142

配管内における閉塞異物位置の診断方法

特願2012-090648
特開2013-217867 

配管内における閉塞異物が堆積している位置を診断できる配管内における閉塞異物位置の診断方法を提供する。

148

金属ナノ粒子焼結体から成る機能性膜を形成する方法

特願2012-118587
特開2013-247181

レーザ焼結雰囲気中の酸素濃度を最適化することにより、各種基板との密着性に優れた金属ナノ粒子焼結体から成る機能性膜の形成方法を提供すること。

149

ボンディングワイヤ、接続部構造、並びに半導体装置およびその製造方法

特願2012-119699
特開2013-12728

被接続部材との接続部におけるクラックの発生および進展を抑止する。

152

半導体集積回路装置及びその製造方法

特願2012-124608
特開2013-251380

配線層の一層の低抵抗率化を図るとともに、耐エレクトロマイグレーション性に優れる半導体集積回路装置とその製造方法を提供する。

153

傾斜変化量監視システム及び傾斜変化量監視方法

特願2012-125896
特開2013-250189

ある領域がどの方向にどれくらい傾いたのかという定量的な情報を得ることができ、時系列的に監視できる傾斜変化量監視システムを提供する。

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