出願／公開
登録番号

要　約

特願2008-039555
特開2009-198278
特許第4817336号

試料の集合体構造を精密に測定する、テラヘルツ電磁波を用いた試料の構造分析方法およびその構造を得る

PCT/JP2009/070637
再表2010/064732
特許第5366270号

エレクトロマイグレーション耐性を向上と低抵抗化を図る線幅７０ｎｍ以下の銅配線を実現し、それを使用した半導体集積回路装置を提供することにある。本発明は、線幅７０ｎｍ以下の銅配線を昇温速度１～１０Ｋ／ｓｅｃで加熱し、加熱直後の温度で所定時間恒温保持するアニール処理をする点に特徴がある

特願2009-275592
特開2011-117832
特許第5487920号

新規な含フッ素重合体、その重合体の製造法およびその中間体である１，６－ジエン型エーテルの製造法を提供する

特願2010-166492
特開2012-026894
特許第5463232号

筐体の水平載置が困難でも適正位置に二次元図形を投影可能な墨出し装置を提供する

特願2010-197743
特開2012-051863
特許第5618291号

原料として入手が容易なオクタフルオロシクロペンテンからの合成が可能であり、且つフッ素含有量が多い新規な含フッ素化合物、並びに該含フッ素化合物をラジカル重合して得られ、透明性が高く、汎用溶媒に溶解できる新規な重合体の製造方法並びに該含フッ素化合物の重合体からなる光学素子、機能性薄膜及びレジスト膜を提供する

特願2011-022414
特開2012-163392
特許第5747406号

非破壊かつオンラインで金属層の結晶粒径及び粒径分布を評価する方法を実現する

特願2011-030514
特開2012-169516
特許第5754702号

従来のルテニウムバリア材と同様に優れた銅拡散の抑制効果を有し、供給性の点で問題がなく、比較的低コストの金属又はその金属を含む金属間化合物からなる新規な半導体集積回路装置用バリア材の探索方法及び当該探索方法によって探索される半導体集積回路用バリア材を提供する

特願2011-050094
特開2012-185120
特許第5751514号

コヒーレント光を用いて、被測定球体の球径を高精度で、且つ簡便な方法で短時間に測定できる球体の球径寸法測定方法及びその測定装置を提供する

特願2012-124608
特開2013-251380
特許第5963191号

配線層の一層の低抵抗率化を図るとともに、耐エレクトロマイグレーション性に優れる半導体集積回路装置とその製造方法を提供する

特願2013-101708
特開2014-222715
特許第6080009号

ＬＳＩの高集積化、高密度化及び高速化に対して、配線幅の減少に伴う抵抗率の増加を抑えて、配線層の一層の低抵抗率化を図ることができる半導体集積回路装置とその製造方法、並びに効率的な低抵抗率銅配線の探索方法を提供する

特願2014-190677
特開2016-060722

π共役性、溶解性、成膜性、及び安定性に優れる含窒素複素環化合物の提供

特願2014-219812
特開2016-084448

縮合多環芳香族骨格が有するπ共役性を十分に発現しつつ、溶媒に対する溶解性が高く、安定性と耐久性に優れる新規な共重合体ポリマーの提供

特願2014-246504
特開2016-109834

波長を上回る厚さのある標本でも、干渉像に位相の飛びが起こらない位相差干渉顕微装置を提供する

特願2015-183828
特開2016-164965

配線溝内の銅配線に不純物が入らないようにして結晶性を向上させることにより、超低抵抗率銅配線を有する半導体集積回路装置を提供する